《工商时报》专文报道光焱科技硅光子测量布局　Night Jar™ 助力 AI / CPO 时代的晶圆级 On‑Wafer 测试

《工商时报》于 2025/11/12 刊出专题报道，聚焦光焱科技（Enlitech）近年积极切入半导体领域、锁定高速成长的硅光子（Silicon Photonics, SiPh）测量市场。报道指出，随 AI、高性能计算（HPC）与数据中心持续扩张，加上 CPO（Co‑Packaged Optics）与硅光子模块开发加速，硅光子测量与验证需求将在未来数年显著成长；而硅光子测试也因光路对准精度要求高、误差容忍度低与晶圆级检测效率限制，成为业界长期存在的难点之一。

“硅光子业务将在 2026 年开始明显贡献。”——《工商时报》

面对 SiPh / PIC 从研发走向量产的趋势，光焱科技推出 Night Jar™ 硅光子晶圆测试系统（silicon photonics testing solution），以晶圆级 On‑Wafer 光学测量为核心，协助工程团队在 WAT、CP、FT 等不同测试节点导入光损耗测量与可视化分析，提前评估器件性能、降低后段封装与 CPO 组装的风险与成本。

“硅光子测试向来是业界难点，主因光路对准精度高、误差容忍度低。”——《工商时报》

Night Jar™ 的主要功能：

• 覆盖 WAT / CP / FT：在晶圆与裸片层级提供一致的光损耗与链路特性（link‑level）表征。
• O‑to‑O（Optical‑to‑Optical）测量：针对光波导与硅光子芯片，提供光损耗定位、定性与定量分析所需的测量基础。
• 晶圆级光损耗成图（Wafer‑Level Optical Loss Mapping）：高速、无损检测，有助于掌握良率与工艺稳定性，建立量产导入的监控节点。
• 高光谱成像检测（Hyperspectral Imaging Inspection）：微米级分辨率支持损耗位置可视化，弥补传统“探针台 + 激光光源”架构在空间解析与观测上的局限。
• IL / PDL 晶圆测试 + 成像分析：支持插入损耗（IL）与偏振相关损耗（PDL）等指标，并结合图像化呈现与功率强度分析，便于将光学性能与版图设计或工艺变异相关联。

光焱科技持续以底层光学技术能力（光谱光源、精密光路控制、高分辨率测量）推进硅光子测量方案，期望协助更多 SiPh / PIC 团队加快验证节奏、提升工艺可控性，迎接 AI 与光电互连时代的产线需求。