LSD4 激光扫描缺陷成像系统

NT$100

4 分钟内掌握全貌,以 50 微米分辨率扫描 100 毫米 x 100 毫米区域

激光扫描缺陷成像仪是激光束感应电流(LBIC)测试的升级版本。 它利用波长能量大于半导体能隙的激光光束照射半导体,产生电子-电洞对。 透过快速扫描样品表面,获得揭示内部电流变化的影像分布,以分析各种缺陷分布。 这有助于分析样品制备的质量,并有助于制程改进。

×

LSD4 激光扫描缺陷成像系统 Inquiry






















    分类:

    描述

    描述

    规格

    应用

    装机纪录

    相关文献

    资源

    QA

    联络我们

    描述

    4 分钟内掌握全貌,以 50 微米分辨率扫描 100 毫米 x 100 毫米区域

    激光扫描缺陷成像仪是激光束感应电流(LBIC)测试的升级版本。 它利用波长能量大于半导体能隙的激光光束照射半导体,产生电子-电洞对。 透过快速扫描样品表面,获得揭示内部电流变化的影像分布,以分析各种缺陷分布。 这有助于分析样品制备的质量,并有助于制程改进。

    特点

    1. 扫描光生电流的分布
    2. 分析表面污染
    3. 扫描光电压的分布
    4. 分析短路区域的分布
    5. 扫描开路电压和短路电流的分布
    6. 识别和分析微裂纹区域
    7. 分析少数载子扩散长度的分布(选配功能)

    规格

    ItemParameter Description.
    Functiona. Utilizing laser beams with wavelengths that have higher energy than the semiconductor bandgap to generate electron-hole pairs in the semiconductor, exploring the impact of the depletion region on internal current changes to understand and analyze various defect distributions as a direction for process improvement.

    b. Capable of scanning the distribution of photo-generated current on the surface of the sample.

    c. Capable of scanning the distribution of photo-voltage on the surface of the sample.

    d. Capable of analyzing surface contamination.

    e. Capable of analyzing the distribution of short-circuit regions.

    f. Capable of identifying and analyzing microcrack regions.

    g. Capable of analyzing the distribution of minority carrier diffusion length (optional).
    Excitation source450 ±10nm Laser
    Scan area≦100mm x 100mm
    Laser spot sizeClose to TEM00 mode spot
    Mapping resolutiona. Scanning resolution ≤ 50 µm
    b. Scanning resolution can be set by software
    Mapping time<4 mins (For 100 mm x 100 mm with 50 um resolution)
    Dimension60 cm * 60 cm * 100 cm
    Softwarea. LBIC 3D visualization
    b. 2D cross-sectional analysis (electrode aspect ratio)
    c. Photo-current response distribution analysis (in conjunction with long-wavelength laser source)
    d. Data saving and export functions

    系统设计

    应用

    LSD4-Silicon Solar Cell Photocurrent Distribution-405nm

    硅太阳能电池光电流分布(405 纳米)

    LSD4-6-inch Silicon Slar Cell Scan-17seconds

    6 英寸硅晶太阳能电池扫描(17 秒)

    LSD4-OPV Photoresponse Current Distribution Map

    LSD4-OPV 光响应电流分布图

    LSD4-OPV Photoresponse Current Distribution Map

    LSD4-OPV 光响应电流分布图

    LSD4-Perovskite Solar Cell

    钙钛矿太阳能电池

    LSD4-Non-uniformity analysis with a resolution of 50 µm

    分辨率为 50 微米的非均匀性分析

    LSD4-Busbar/Grid Aspect Ratio Detection (Cross-sectional Analysis)

    总线/栅线纵横比检测(横截面分析)

    LSD4-Aging-Analysis-of-Perovskite-Cells

    钙钛矿电池老化分析

    LSD4-Aging Analysis - Zoom in on a specific area to analyze the causes of aging in detail

    老化分析 - 放大特定区域以详细分析老化的原因

    LSD4-LBIC Photocurrent with aging time - LSD4 can comparatively analyze the QE decay characteristics of local and full-surface cell over time.

    随老化时间变化的LBIC光电流 -LSD4可以比较分析局部和全表面电池的量子效率(QE)随时间衰减的特性。

    高重复性(6 次重复)

    不同波长下的有机太阳能电池(OPV)光电流和量子效率(QE))

    客户实证

    相关文献

    资源

    QA

    联络我们






















      评价

      目前还没有评价

      成为第一个“LSD4 激光扫描缺陷成像系统” 的评价者

      您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注