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全光谱性能参数测试分析：
- 全光谱光谱响应（SR， Spectral Responsivity）
- 全光谱量子效率（EQE， External Quantum Efficiency）
- 全光谱光子探测率（PDP， Photon Detection Probability）
- 暗计数DCR （Dark Count Rate）
- 崩溃电压BDV （Break-Down Voltage）
SPAD的单光子雪崩二极管特性参数分析：
- Jitter
- Afterpulsing probability
- Diffusion tail
- 信噪比
SPD2200 集成了先进的光学和电气系统，结合 OptoFire 在传感器测试和分析方面的丰富经验，提供全面且用户友善的软件控制接口和分析功能。 透过使用SPD2200，您可以节省系统设置的时间和成本，同时降低测试结果的不确定性。 这加速了产品开发周期并提升了竞争力。
SPD2200 是一款新颖的单光子探测器特性分析设备，其优势在于光学和电气系统的直接整合，使其外形紧凑。 它可以快速部署在原始制造商的生产线上，软件和硬件之间的协同作用有效地降低了 SPAD 开发过程中的研发成本。 此外，它还显著降低了测试结果的不确定性，从而提高了良率。 在各家制造商竞相开发用于激光雷达应用的 SPAD 芯片的竞争中，SPD2200 已成为重要的研究仪器。
实证
SPAD的暗计数与偏压关系图
单光子雪崩二极管（SPAD）暗计数与崩溃电压之间的关系
单光子雪崩二极管 （SPAD） 在不同电压下的光子探测效率 （PDE） 光谱
SPAD的Jitter测量
SPD2200 整合与研究人员自行组装的测量设置之间的差异
PhotonFire Technology 的SPD2200 将所有必要的测量硬件和软件集成到一个一体化设备中。 与研究人员在光学平台上手动组装测量设置的传统方法相比，SPD2200提高了空间利用率。 它为高精度测量设备组件提供了更好的保护，从而获得更准确的测量结果。
透过将所有必需的元件集成到一个集成设备中，SPD2200优化了空间利用，并确保了更高效、更精简的测量过程。 这种集成设计还提高了所进行测量的整体精度。
整合式测量设备
传统研究人员自行搭建的测量系统
可测量参数
| Measurable Parameters | |
|---|---|
| Spectral Performance Test | Analysis of SPAD Single Photon Discrimination Characteristics |
| Spectral Responsivity(SR) | Timing jitter |
| External Quantum Efficiency(EQE) | Afterpulsing probability |
| Photon Detection Probability(PDP) | Diffusion Tail |
| Dark Count Rate(DCR) | SNR |
| Break-Down Voltage(BDV) |
系统设计
应用
Enlitech 新开发的 SPD2200 是一款领先的单光子探测器 (SPD) 商业级表征系统。
它可用于测试和分析单光子雪崩二极管（SPAD）的特性，SPAD是LiDAR（光检测和测距）的关键元件。 该SPD2200满足客户在 toF 模块开发过程中测量各种参数的需求。
SPD2200 有两个模块：（1） 光谱表征模块 （SDTM） 和 （2） 时域表征模块 （TDTM）。 客户可以选择为不同的测量场景购买任一模块，也可以同时使用这两个模块进行全面的表征。
客户实证
SDTM、TDTM 表征模块
（1） SDTM 光谱表征模块 – 设备规格
| SDTM Spectral Characterization Module – Equipment Specifications | |
|---|---|
| Continuous wave light source | 1.Stable light source system (xenon lamp) 2.Monochromator: 350-1100 nm, resolution 1nm, typical FWHM 10 nm; accuracy 0.6nm 3.Fiber coupling and optical diffuser: 5×5 mm or 10×10 mm beam, uniformity >99% at 25 mm working distance. (with 50 mm x 50 mm illumination spot) |
| Light source and beam delivery system | 1.Ultra-uniform silicon photodiode sensor, 10mm x 10mm active area, optically aged to eliminate instability 2.Wavelength range 350-1100nm, peak responsivity at 960nm 3.Traceable, certified calibration report to NIST (ISO 17025 certified, compliant to Spec 1) 4.Noise equivalent power of 1.5 x 10-14 W/√Hz |
| Source stage | 1.Device biasing and measurement 2.Voltage range: > 200V 3.Current range: 1.5A max. 4.Minimum resolution: 100 nV, 10 fA |
| Photon detector | 1.Resolution: 100 ps 2.Count rate: > 300 MHz 3.Input voltage range: ± 5V |
| Measurable parameters | 1.Photon detection probability over spectrum 2.Dark counts 3.External quantum efficiency over spectrum 4.Breakdown voltage 5.Spectral responsivity over spectrum |
（2） TDTM 时域表征模块
| TDTM Time Domain Characterization Module | |
|---|---|
| PS Laser | 1.Wavelength 940 nm 2.FWHM <90 ps 3.MAX rep. rate: 80 MHz (adjustable) |
| T-counter | 1.Detection Channel: 4 Chs 2.BIN Resolution: 5 ps 3.Time-tagging and time-resolved modes |
| Measurable Parameters | 1.Jitter 2.Diffusion Tail 3.Signal-to-Noise Ratio |
| controller | ●Industrial Computer ●Screen ●Keyboard and Mouse |
|---|
相关文献
选购配件
| Optional items | |
|---|---|
| Probe station | 1.Three styles: fully automatic / semi-automatic / manual 2.Suitable for wafer level sample measurement 3.Please contact us |
| Customized test fixture | 1.Suitable for module type sample measurement 2.Please contact us |
| Custom camera obscura | 1.The camera obscura has a noise shielding function 2.Please contact us |
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