提升光電二極體的量子效率(QE)可以透過以下多種方法實現：

1. 優化材料特性：選擇具有較高吸收係數的材料可以增強光子吸收，從而提升量子效率。
2. 表面鈍化：最小化表面缺陷和復合中心可以減少電子-電洞對的復合，進而提高量子效率。
3. 抗反射鍍膜：施加可減少反射的鍍膜可增加進入光電二極體的光子數量，從而提升量子效率。
4. 元件結構最佳化：設計具有最佳厚度和結構的光電二極體可以改善光吸收和載子收集效率。
5. 增強光捕捉：加入可以在光電二極體內捕捉光的結構或技術可以增加與光子的交互作用長度，從而提升量子效率。

這些方法各自針對光電二極體運作的不同面向，以最大化其將光轉換為電信號的效率。

圖一、抗反射(AR)鍍膜對於不同波長範圍內光電二極體量子效率(QE)的正面影響。量子效率以百分比表示，顯示光電二極體將入射光子轉換為電流的效率。不同曲線代表在不同波長範圍吸收光的不同結構或材料的光電二極體。從圖表中可以明顯看出，AR鍍膜的應用提升了所有三種光電二極體的量子效率。這些鍍膜減少了表面的光子反射，使更多光被吸收並轉換為電信號，直接提高了量子效率。這一點在具有AR鍍膜的曲線達到較高百分比值時特別明顯。