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4 分鐘內掌握全貌，以 50 微米解析度掃描 100 毫米 x 100 毫米區域
雷射掃描缺陷成像儀是雷射束感應電流 (LBIC) 測試的升級版本。它利用波長能量大於半導體能隙的雷射光束照射半導體，產生電子-電洞對。透過快速掃描樣品表面，獲得揭示內部電流變化的影像分佈，以分析各種缺陷分佈。這有助於分析樣品製備的品質，並有助於製程改進。
特點
- 掃描光生電流的分佈
- 分析表面污染
- 掃描光電壓的分佈
- 分析短路區域的分佈
- 掃描開路電壓和短路電流的分佈
- 識別和分析微裂紋區域
- 分析少數載子擴散長度的分佈（選配功能）
規格
| Item | Parameter Description. |
|---|---|
| Function | a. Utilizing laser beams with wavelengths that have higher energy than the semiconductor bandgap to generate electron-hole pairs in the semiconductor, exploring the impact of the depletion region on internal current changes to understand and analyze various defect distributions as a direction for process improvement. b. Capable of scanning the distribution of photo-generated current on the surface of the sample. c. Capable of scanning the distribution of photo-voltage on the surface of the sample. d. Capable of analyzing surface contamination. e. Capable of analyzing the distribution of short-circuit regions. f. Capable of identifying and analyzing microcrack regions. g. Capable of analyzing the distribution of minority carrier diffusion length (optional). |
| Excitation source | 450 ±10nm Laser |
| Scan area | ≦100mm x 100mm |
| Laser spot size | Close to TEM00 mode spot |
| Mapping resolution | a. Scanning resolution ≤ 50 µm b. Scanning resolution can be set by software |
| Mapping time | <4 mins (For 100 mm x 100 mm with 50 um resolution) |
| Dimension | 60 cm * 60 cm * 100 cm |
| Software | a. LBIC 3D visualization b. 2D cross-sectional analysis (electrode aspect ratio) c. Photo-current response distribution analysis (in conjunction with long-wavelength laser source) d. Data saving and export functions |
系統設計
應用
矽太陽能電池光電流分佈（405 奈米）
6 英吋矽晶太陽能電池掃描（17 秒）
LSD4-OPV 光響應電流分佈圖
LSD4-OPV 光響應電流分佈圖
鈣鈦礦太陽能電池
解析度為 50 微米的非均勻性分析
匯流排/柵線縱橫比檢測（橫截面分析）
鈣鈦礦電池老化分析
老化分析 - 放大特定區域以詳細分析老化的原因
商品評價
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