二維材料是一類新興的材料，具有廣泛的電性能和潛在的實際應用。雖然石墨烯是研究最深入的二維材料，但其他材料的單層，如絕緣的硼氮化物（BN）和半導體的MoS2或WSe2，作為場效應晶體管的應用中已受到越來越多的關注。瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）電氣工程系的Andras Kis教授(負責管理納米電子和結構實驗室)與生物工程學Aleksandra Radenovic教授(管理納米生物學實驗室)，早在2013年就於Nature Nanotechnology期刊中發表了一篇「Ultrasensitive photodetectors based on monolayer MoS2」文章，重點介紹單層MoS2。由於量子力學的限制，它是具有直接能隙的半導體，並探討它在光電子裝置中，特別是光伏電池中的應用潛力。

單層MoS2具有六角結構，其中一個鉬原子夾在兩個硫原子之間。單層MoS2在布里渡（Brillouin）區域的K點處具有約1.8電子伏特的能隙，適合吸收可見光。單層MoS2可以吸收能隙以上的能量中的10%入射光。此外，單層MoS2由於直接能隙轉換而表現出強烈的光致發光，其增強後的效果相對於體材料高出1000倍。然而，單層MoS2的光致發光量子產率仍然很低，約為0.4％，這限制了它作為光發射器的效率。

本研究研究了不同的前沉積表面處理和接觸材料對光響應衰減的影響。發現不同的表面清潔處理可以減少衰減時間。這可以通過功能化SiO2表面的親疏水性差異來解釋。使用不同的生長技術，如濕法氧化和乾法氧化來沉積SiO2，可以進一步降低特徵衰減時間τdecay。我們使用如下的SiO2表面處理方法進行微機械剝離前的處理： KOH – SiO2基片在室溫下用30% KOH溶液浸泡30分鐘。然後用270W的RF功率進行20分鐘的O2等離子體處理，最後進行剝離。 Piranha – SiO2基片在piranha清潔液（H2SO4:H2O2 3:1）中浸泡45分鐘。然後用270W的RF功率進行20分鐘的O2等離子體處理，最後進行剝離。 HF – SiO2基片在2毫升50%甲酸中和70毫升去離子水中浸泡30秒。然後用270W的RF功率進行20分鐘的O2等離子體處理，最後進行剝離。 使用不同的接觸金屬，如Ti/Au（10/50nm）或Cr/Au（10/50nm），可以進一步減小衰減時間，但以犧牲光響應靈敏度為代價，最低的衰減時間τdecay為320毫秒，採用Cr/Au接觸和濕法氧化生長的SiO2器件。

另一方面，單層MoS2作為光吸收劑和光催化劑顯示出很大的潛力。最近的研究表明，具有提高的器件遷移率和開路電流的超靈敏單層MoS2光電晶體已經被成功實現。該器件在561納米波長下表現出880安培每瓦特的最大外部光響應度，這與其他二維材料報導的最佳數值相當。高的響應度歸因於單層MoS2在光激發下高效產生和分離電子-空穴對。

單層MoS2在光伏電池中也具有激動人心的應用，可以與有機或無機材料形成II型異質接面。II型異質接面是兩種具有不同能帶對準的材料之間的接面，其中一種材料的導帶最低點高於另一種材料的，而價帶最高點則低於另一種材料的。這樣形成的鏈接具有交錯的能帶對齊，有利於電荷在接面上的分離和傳輸。例如，單層MoS2可以與PTB7這種有機聚合物形成II型異質接面，PTB7在有機太陽電池中被廣泛應用作為施體材料。該異質接面顯示出相互的光致發光熄滅和光伏效應，表明兩種材料之間的電荷轉移高效率。異質接面的內部量子效率在整個光吸收層厚度低於20納米時超過40％，使其相對於其他有機和無機太陽能電池而言具有出色的吸光厚度的電流密度。

此外，單層MoS2還可以被摻雜以調整其電子結構並增強其光催化活性。例如，p型摻雜可以在單層MoS2的能帶間隙中引入受體能級，這些能級可以作為電子陷阱，增加光產生的空穴的壽命。這可以改善可見光照射下單層MoS2的氫發生反應。此外，摻雜還可以調節單層MoS2的能帶間隙和能量水平，與異質接面中的其他材料相匹配。

總之，單層MoS2是一種多功能的二維材料，在光電子裝置中，特別是光伏電池中具有許多潛在應用。其直接能帶允許高吸收係數和在光激發下高效的電子-空穴對生成。它還可以與其他材料形成II型異質接面，實現充電和過接面的傳輸。此外，它可以被摻雜以改變其電子結構並增強光催化活性。最近對包括液態剝離和化學氣相沉積生長等大規模生產技術的發展，顯示了基於MoS2的集成光電子電路、光敏感、生物醫學影像、視頻記錄和光譜學中的應用潛力。